Foto Transistor Diámetro de 3mm, 30 V, 100 mW

Descripción:
Es un transistor sensible a la luz, por lo general infrarroja. Combinan en uno solo la detección de luz y la ganancia. Los hay de tres y de dos patas. En los fototransistores con dos patas, la mas larga es el emisor (negativo) y la corta el colector (positivo). La base es reemplazada por un cristal fotosensible, que al recibir luz produce una corriente y desbloquea el transistor.

Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando huecos y con ello una corriente de base que hace el transistor entre en la región activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica eléctricamente.

Características:
Fototransistor tipo NPN sensible a luz infrarroja
Filtro contra la luz del espectro visible
Con lente incorporado para mayor sensibilidad
Amplio rango de corriente de colector
Diámetro: 3 mm
Especificaciones:
Potencia max: 100 mW
Voltaje colector-emisor max: 30 V
Voltaje emisor-colector: 5 V