Circuito Integrado IRF540 Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A de suicheo rápido
$10.00
Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A
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Descripción:
Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A de suicheo rápido.
Características:
Encapsulado: TO220AB
Especificaciones:
Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 28A
Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V
Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 175°C
irf540
Especificaciones: Circuito Integrado IRF540 Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A de suicheo rápido
| Peso | 0.1 kg |
|---|---|
| Dimensiones | 8 × 8 × 8 cm |
Circuito Integrado IRF540 Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A de suicheo rápido
$10.00
